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FDB603AL中文资料

  • 大小：414.54KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：33 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.022 Ohms at 10 V
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263AB
  • 封装：Reel
  • 下降时间：80 ns
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：50 W
  • 上升时间：102 ns
  • 典型关闭延迟时间：20 ns

FDB603AL供应商

更新时间:2022-12-31 20:13:38
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